26일 외신 및 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아와 AMD가 진행한 HBM4 최종 품질 검증을 통과한 것으로 전해졌다. 이에 따라 삼성전자는 다음 달 본격 출하를 목표로 양산 준비에 착수한 것으로 알려졌다.
특히 이번 HBM4는 엔비디아가 요구한 사양인 10Gb/s를 상회하는 초당 11.7Gb(기가비트)의 전송 속도를 구현한 것으로 전해졌다. 해당 제품은 올 하반기 출시가 예상되는 차세대 AI 가속기인 엔비디아 ‘루빈(Rubin)과 AMD ‘MI450’에 핵심 메모리로 탑재될 가능성이 크다.
삼성전자는 이러한 성능을 구현하기 위해 첨단 제조 공정과 설계 기술을 적극 적용했다. HBM4의 기본 메모리 다이에는 10나노급 6세대(1c) DRAM이 사용됐으며, 칩의 제어와 연산을 담당하는 로직 다이(logic die)에는 경쟁사 대비 수 세대 앞선 4나노 공정이 적용된 것으로 알려졌다.
▶ 원문 출처: https://m.kbench.com/?q=node/275582
